Антиферромагнитные переходы показали потенциал для спинтроники

Статья посвящена полностью антиферромагнитным туннельным переходам — структурам, в которых проявляются сразу два эффекта: большой туннельный магнеторезистивный эффект (TMR) и обратное переключение. Эти свойства связаны с октупольным спин-переносным моментом. TMR означает изменение электрического сопротивления туннельного перехода в зависимости от магнитного состояния. В представленном описании этот эффект рассматривается вместе с возможностью переключения состояния перехода под действием спинового переноса. Авторы связывают наблюдаемые свойства с перспективой создания магнитной памяти нанометрового масштаба. Кроме того, такие переходы потенциально могут использоваться в спинтронных устройствах, работающих в терагерцовом диапазоне при комнатной температуре. Материал опубликован Nature. В доступном фрагменте также приведена ссылка на более раннюю работу о магнетосопротивлении при комнатной температуре в туннельных переходах на основе ферромагнитных тонких плёнок.